Leakage Current Characteristics of Nitride-Based InGaN Light-Emitting Diode

二极管 兴奋剂 电场 光电子学 发光二极管 量子隧道 材料科学 物理 量子力学
作者
Kyu-Sang Kim,Jinha Kim,S N Cho
出处
期刊:IEEE Photonics Technology Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:23 (8): 483-485 被引量:9
标识
DOI:10.1109/lpt.2011.2109705
摘要

Leakage current characteristics have been investigated for nitride-based InGaN light-emitting diodes (LEDs) with different levels of Si-doping conditions applied to the n-type InGaN/GaN layer. The tested LED samples had an emission wavelength of 445 nm. Based on the analysis of temperature-dependent characteristics measurements, the reverse leakage current, I R , was predominantly influenced by the lowering of Poole-Frenkel (PF) barrier for low electric field (<;2.5 × 10 6 V/cm) and, for high electric field region (>;8 × 10 7 V/cm), phonon-assisted tunneling (PAT) dominates the I R mechanism. The I R is influenced by the Si-doping density of InGaN/GaN layer that may be present near the end of depletion regions of tested samples.
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