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Photonics and optoelectronics of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides

半导体 光子学 材料科学 过渡金属 Valleytronics公司 石墨烯 单层 光电子学 范德瓦尔斯力 带隙 MXenes公司 纳米技术 凝聚态物理 自旋电子学 物理 化学 铁磁性 生物化学 量子力学 催化作用 分子
作者
Kin Fai Mak,Jie Shan
出处
期刊:Nature Photonics [Springer Nature]
卷期号:10 (4): 216-226 被引量:3626
标识
DOI:10.1038/nphoton.2015.282
摘要

The electronic and optical properties and the recent progress in applications of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides with emphasis on strong excitonic effects, and spin- and valley-dependent properties are reviewed. Recent advances in the development of atomically thin layers of van der Waals bonded solids have opened up new possibilities for the exploration of 2D physics as well as for materials for applications. Among them, semiconductor transition metal dichalcogenides, MX2 (M = Mo, W; X = S, Se), have bandgaps in the near-infrared to the visible region, in contrast to the zero bandgap of graphene. In the monolayer limit, these materials have been shown to possess direct bandgaps, a property well suited for photonics and optoelectronics applications. Here, we review the electronic and optical properties and the recent progress in applications of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides with emphasis on strong excitonic effects, and spin- and valley-dependent properties.
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