Defect chemistry engineering of Ga-doped garnet electrolyte with high stability for solid-state lithium metal batteries

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作者
Sihan Chen,Jun Li,Keke Liu,Xiaochen Sun,Jingwei Wan,Huiyu Zhai,Xinfeng Tang,Gangjian Tan
出处
期刊:Chinese Physics B [IOP Publishing]
卷期号:33 (8): 088203-088203
标识
DOI:10.1088/1674-1056/ad41b9
摘要

Abstract Ga-doped Li 7 La 3 Zr 2 O 12 (Ga-LLZO) has long been considered as a promising garnet-type electrolyte candidate for all-solid-state lithium metal batteries (ASSLBs) due to its high room temperature ionic conductivity. However, the typical synthesis of Ga-LLZO is usually accompanied by the formation of undesired LiGaO 2 impurity phase that causes severe instability of the electrolyte in contact with molten Li metal during half/full cell assembly. In this study, we show that by simply engineering the defect chemistry of Ga-LLZO, namely, the lithium deficiency level, LiGaO 2 impurity phase is effectively inhibited in the final synthetic product. Consequently, defect chemistry engineered Ga-LLZO exhibits excellent electrochemical stability against lithium metal, while its high room temperature ionic conductivity (∼ 1.9 × 10 −3 S⋅cm −1 ) is well reserved. The assembled Li/Ga-LLZO/Li symmetric cell has a superior critical current density of 0.9 mA⋅cm −2 , and cycles stably for 500 hours at a current density of 0.3 mA⋅cm −2 . This research facilitates the potential commercial applications of high performance Ga-LLZO solid electrolytes in ASSLBs.

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