Atomic‐Scale Distribution and Evolution of Strain in Pt Nanoparticles Grown on MoS2 Nanosheet

异质结 材料科学 纳米晶 半导体 纳米片 接口(物质) 纳米技术 基质(水族馆) 光电子学 原子单位 复合材料 物理 量子力学 海洋学 毛细管数 毛细管作用 地质学
作者
Yuchen Zhu,Zhitao Zhao,Yingying Xu,Rongming Wang
出处
期刊:Small methods [Wiley]
被引量:1
标识
DOI:10.1002/smtd.202400179
摘要

Abstract Interface strain significantly affects the band structure and electronic states of metal‐nanocrystal‐2D‐semiconductor heterostructures, impacting system performance. While transmission electron microscopy (TEM) is a powerful tool for studying interface strain, its accuracy may be compromised by sample overlap in high‐resolution images due to the unique nature of the metal‐nanocrystals‐2D‐semiconductors heterostructure. Utilizing digital dark‐field technology, the substrate influence on metal atomic column contrasts is eliminated, improving the accuracy of quantitative analysis in high‐resolution TEM images. Applying this method to investigate Pt on MoS 2 surfaces reveals that the heterostructure introduces a tensile strain of ≈3% in Pt nanocrystal. The x ‐directional linear strain in Pt nanocrystals has a periodic distribution that matches the semi‐coherent interface between Pt nanocrystals and MoS 2 , while the remaining strain components localize mainly on edge atomic steps. These results demonstrate an accurate and efficient method for studying interface strain and provide a theoretical foundation for precise heterostructure fabrication.
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