Domain Controlling by Compound Additive toward Highly Efficient Quasi‐2D Perovskite Light‐Emitting Diodes

材料科学 钙钛矿(结构) 结晶 光致发光 带隙 地穴 激子 溶解度 化学工程 光电子学 二极管 纳米技术 物理化学 有机化学 化学 离子 物理 量子力学 工程类
作者
Dezhong Zhang,Yunxing Fu,Chunyu Liu,Chenyang Zhao,Xiang Gao,Jidong Zhang,Wenbin Guo,Jun Liu,Chuanjiang Qin,Lixiang Wang
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:31 (38) 被引量:43
标识
DOI:10.1002/adfm.202103890
摘要

Abstract Quasi‐2D perovskites with enlarged exciton binding energy and tunable bandgap are appealing for application in perovskite light‐emitting diodes (PeLEDs). However, wide n domains distribution is commonly formed in solution‐processed quasi‐2D perovskite films due to the uncontrollable crystallization behavior, which leads to low device performance. Here, the crystallization process is successfully regulated to narrow the n domains distribution by introducing compound additive of ZrO 2 nanoparticles (NPs) and Cryptand complexant. ZrO 2 NPs can avoid the segregation of organic large and small cations by strengthening the solvent extraction capacity of antisolvent, while Cryptand offsets the poor solubility of PbBr 2 by forming an intermediate state to slow down the crystallization of high‐ n domains. Consequently, both high photoluminescence quantum yields over 90% and a high external quantum efficiency of 21.2% are obtained in the optimized green quasi‐2D PeLEDs. Moreover, the lifetime extends about four times compared with control devices. The strategy of domain controlling by compound additive provides a powerful way to develop high‐performance quasi‐2D perovskite optoelectrical devices.
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