Doping of phosphorus in chemical-vapor-deposited silicon carbide layers: A theoretical study

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作者
T. Hornos,Ádám Gali,R. P. Devaty,W. J. Choyke
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:87 (21) 被引量:4
标识
DOI:10.1063/1.2135493
摘要

Ab initio supercell calculations have been carried out to investigate the doping of phosphorus in chemical-vapor-deposited (CVD) silicon carbide (SiC) layers. We simulated the CVD conditions by using the appropriate chemical potentials for hydrogen and phosphorus (P). We find that the site selection of P is not affected by the presence of hydrogen, and hydrogen does not practically passivate the P donors. We find that the most abundant defect is P at the Si-site followed by P at the C-site. The calculated concentrations of the P donors and free carriers in CVD grown SiC agree with the experimental findings.
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