Wafer-Scale van der Waals Heterostructures with Ultraclean Interfaces via the Aid of Viscoelastic Polymer

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作者
Stephen Boandoh,Frederick Osei-Tutu Agyapong-Fordjour,Soo Ho Choi,Joo Song Lee,Jihoon Park,Heedong Ko,Gyeongtak Han,Seok Joon Yun,Se-Hwan Park,Young‐Min Kim,Woochul Yang,Young Hee Lee,Soo Min Kim,Ki Kang Kim
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:11 (1): 1579-1586 被引量:14
标识
DOI:10.1021/acsami.8b16261
摘要

Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) heterostructures exhibit novel physical and chemical properties, allowing the development of unprecedented electronic, optical, and electrochemical devices. However, the construction of wafer-scale vdW heterostructures for practical applications is still limited due to the lack of well-established growth and transfer techniques. Herein, we report a method for the fabrication of wafer-scale 2D vdW heterostructures with an ultraclean interface between layers via the aid of a freestanding viscoelastic polymer support layer (VEPSL). The low glass transition temperature (Tg) and viscoelastic nature of the VEPSL ensure absolute conformal contact between 2D layers, enabling the easy pick-up of layers and attaching to other 2D layers. This eventually leads to the construction of random sequence 2D vdW heterostructures such as molybdenum disulfide/tungsten disulfide/molybdenum diselenide/tungsten diselenide/hexagonal boron nitride. Furthermore, the VEPSL allows the conformal transfer of 2D vdW heterostructures onto arbitrary substrates, irrespective of surface roughness. To demonstrate the significance of the ultraclean interface, the fabricated molybdenum disulfide/graphene heterostructure employed as an electrocatalyst yielded excellent results of 73.1 mV·dec–1 for the Tafel slope and 0.12 kΩ of charge transfer resistance, which are almost twice as low as that of the impurity-trapped heterostructure.
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