Kinetics and mechanism of planar nanowire growth

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作者
Amnon Rothman,V. G. Dubrovskiı̆,Ernesto Joselevich
出处
期刊:Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America [Proceedings of the National Academy of Sciences]
卷期号:117 (1): 152-160 被引量:25
标识
DOI:10.1073/pnas.1911505116
摘要

Significance Surface-guided growth of planar nanowires is an attractive way of creating aligned arrays of nanowires to enable their large-scale integration into practical devices, but the kinetics and mechanism of planar vs. regular nonplanar growth are poorly controlled and understood. We present kinetic data for planar nanowire growth supported by a theoretical model. Planar vs. nonplanar nanowire growth rates show different power dependence on nanowire diameter attributed to the dimensionality of precursor material diffusion. Whereas the regular nonplanar growth is dominated by surface diffusion over the nanowire sidewalls, planar growth is found to be dominated by surface diffusion over the substrate. This knowledge enables much higher control over the diameter and length distribution of surface-guided nanowires in different material systems.
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