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作者
Nobukazu Kinomura,Ken Terao,Shinichi Kikkawa,Hiroaki Horiuchi,M. Koizumi,Hayato Setoguchi
标识
DOI：10.1016/0025-5408(83)90171-x
摘要
Higher indium phosphide InP3 is obtained under high pressure of 3 GPa at 1200°C. The crystal structure was analyzed to be isomorphous with SnP3, and GeP3 having lattice parameters of a = 7.449Å and c = 9.885Å. InP3 is a metallic conductor although it is less in the amount of valence electrons than its isomorphous MP3 of Ge and of Sn.
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