High-Temperature HEMT Model

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作者
Nika Sahebghalam,Majid Shalchian,Amirali Chalechale,Farzan Jazaeri
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:69 (9): 4821-4827 被引量:8
标识
DOI:10.1109/ted.2022.3184662
摘要

Taking into account the impact of self-heating and temperature rise effects, this work presents a physics-based analytical model for HEMTs, operating continuously from room temperature to high temperatures in linear and saturation regimes. Relying on the core École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) HEMT model, the temperature dependence of various parameters including mobility, saturation velocity, critical electric fields, access region resistance, threshold voltage, and subthreshold slope was taken into account in the model. The accuracy of the developed model is validated by the TCAD simulation results and experimental data over a wide range of ambient temperatures from −20 °C to 500 °C.

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