Structure and electronic structure of S-doped graphitic C 3 N 4 investigated by density functional theory

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作者
Gang Chen,Shang‐Peng Gao
出处
期刊:Chinese Physics B [IOP Publishing]
卷期号:21 (10): 107101-107101 被引量:38
标识
DOI:10.1088/1674-1056/21/10/107101
摘要

The structures of the heptazine-based graphitic C3N4 and the S-doped graphitic C3N4 are investigated by using the density functional theory with a semi-empirical dispersion correction for the weak long-range interaction between layers. The corrugated structure is found to be energetically favorable for both the pure and the S-doped graphitic C3N4. The S doptant is prone to substitute the N atom bonded with only two nearest C atoms. The band structure calculation reveals that this kind of S doping causes a favorable red shift of the light absorption threshold and can improve the electroconductibility and the photocatalytic activity of the graphitic C3N4.

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