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作者
Rui Guo,Lingling Tao,Ming Li,Zhongran Liu,Weinan Lin,Guowei Zhou,Xiaoxin Chen,Liang Liu,Xiaobing Yan,He Tian,Evgeny Y. Tsymbal,Jingsheng Chen
出处
期刊:Science Advances
[American Association for the Advancement of Science (AAAS)]
日期:2021-03-24
卷期号:7 (13)
被引量:36
标识
DOI:10.1126/sciadv.abf1033
摘要
Interface-engineered electron or hole tunneling controls tunneling electroresistance in ferroelectric tunnel junctions.
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