空位缺陷
氙气
Atom(片上系统)
电荷(物理)
原子物理学
材料科学
物理
凝聚态物理
量子力学
计算机科学
嵌入式系统
作者
Jiajun Zhao,Dan Sun,Xi Liu,Ping Chen,Jijun Zhao,Yuanyuan Wang
摘要
Charge density difference of a Xe atom at a U vacancy in UO 2 , UN and U 3 Si 2 .
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI