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冶金
作者
Minjie Zhang,Yanming Lin,Jiayi Li,Xinru Wei,Ying Peng,Zhengkun Wang,V. Maheskumar,Zhenyi Jiang,Aijun Du
出处
期刊：Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01
卷期号：11 (9): 4758-4768
被引量：14
摘要
Interfacial coupling of Z-scheme CsSnBr 3 /SnS 2 heterostructure induces a narrowing band gap and reduces carrier recombination rate. Coupling interface and Br vacancy defects of CsSnBr 3 has excellent photovoltaic performance.
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