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71‐1: Invited Paper: GaN‐Based Watt‐Class High‐Power Edge‐Emitting Lasers and Milliwatt‐Class Vertical‐Cavity Surface‐Emitting Lasers

激光器 瓦特 光电子学 材料科学 二极管 半导体激光器理论 GSM演进的增强数据速率 功率(物理) 光学 班级(哲学) 计算机科学 物理 电信 量子力学 人工智能
作者
Takuya Ozaki,Eiichiro Okahisa,Shingo Masui,Tomoya Yanamoto,Shin‐ichi Nagahama
出处
期刊:Sid's Digest Of Technical Papers [Wiley]
卷期号:53 (1): 949-952
标识
DOI:10.1002/sdtp.15652
摘要

The latest achievements of GaN‐based laser diodes are summarized, focused on two topics: watt‐class high‐power edge‐emitting lasers and milliwatt‐class vertical‐cavity surface‐emitting lasers. These light sources have high efficiency and high reliability, which are suitable for various display applications such as laser projectors and/or ARIVR displays.
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