Effect of Oxygen Partial Pressure on the Fabrication and Characterization of LaB6-Doped-NiOx Thin Films Produced By Magnetron Sputtering

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作者
Mengying Wang,Xungang Diao
出处
期刊:Meeting abstracts 卷期号:MA2017-01 (40): 1848-1848
标识
DOI:10.1149/ma2017-01/40/1848
摘要

Nickel oxide (NiO x ) thin films doped with LaB 6 were deposited and fabricated by direct current magnetron sputtering technique onto ITO glass substrates with various ratio of argon and oxygen. LaB 6 target was just back the cathode and stacked on the nickel metal target on which six holes were drilled and punched to make the La 3+ deposit on the substrate. The introduction and addition of La 3+ are believed forming the defects, substituting the Ni 2+ sites by the analysis of X-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. It obviously leads to the most roughness surface and large crystallite size of the thin films with the ratio of argon and oxygen at 45:5. Moreover, the electrochromic (EC) characteristics response for nonstoichiometric LaB 6 –doped-NiO x films show a strong dependence on crystallite size variations and surface morphology. Therefore, the as-deposited thin films above demonstrate the good optical contrast and excellent durability, especially the lifetime which can last more than 10000 s. The attempt of this work may be helpful for charactering the EC devices with doping NiO x thin films. We think it will be a big step for the smart windows in energy efficient buildings. Key words: LaB 6 –doped-NiO x films, optical contrast, electrochromic (EC) characteristics Figure 1

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