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Far-infrared kinetic-inductance detectors

动电感 材料科学 热辐射计 光电子学 电感器 响应度 物理 氧化钇钡铜 光学 光电探测器 探测器 电感 高温超导 超导电性 凝聚态物理 电压 量子力学
作者
Erich N. Grossman,Donald G. McDonald,J. E. Sauvageau
出处
期刊:IEEE Transactions on Magnetics [IEEE Magnetics Society]
卷期号:27 (2): 2677-2680 被引量:36
标识
DOI:10.1109/20.133763
摘要

Extremely sensitive far-infrared detectors suitable for both direct detection and heterodyne applications, based on mu m-sized thin films with thickness less than a superconducting penetration depth are possible. The penetration depth of such a film, and therefore its inductance, varies with temperature and with quasiparticle population (described by an effective temperature T*), resulting in both bolometric and nonequilibrium photoinductive responses. Incident radiation is coupled into the small-area kinetic inductor by a lithographic antenna, and the resulting inductance changes are amplified and converted to a voltage signal by an integrated microstrip DC SQUID. The device is sensitive because, unlike junction-based devices with large capacitive reactances, the kinetic inductor is naturally well matched to the antenna impedance at the far-IR frequency ( nu >2 Delta /h) and to the preamplifier (SQUID) impedance at microwave or video frequencies ( nu <<2 Delta /h). The best kinetic inductor materials are those with low electronic mean free path, large penetration depth, and high critical current density. Thus, common magnet alloys such as NbTi are the natural choice for liquid-He temperature operation. A detailed analysis predicts a (phonon-limited) NEP of 4*10/sup -17/ W/ square root Hz for a bolometer with an iridium kinetic inductor operated at 0.1 K. A heterodyne noise temperature of 2250 K (single-sideband) at 3 THz, with a 200-MHz bandwidth, is predicted for a Nb-Ti mixer operated at 4 K.

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