Ferroelectric thin films: Review of materials, properties, and applications

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作者
N. Setter,Dragan Damjanović,Lukas M. Eng,Glen R. Fox,Spartak Gevorgian,Seungbum Hong,A. I. Kingon,H. Kohlstedt,N. Y. Park,G. B. Stephenson,I. Stolitchnov,A. K. Taganstev,D. V. Taylor,Tomoaki Yamada,S. K. Streiffer
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:100 (5) 被引量:1734
标识
DOI:10.1063/1.2336999
摘要

An overview of the state of art in ferroelectric thin films is presented. First, we review applications: microsystems’ applications, applications in high frequency electronics, and memories based on ferroelectric materials. The second section deals with materials, structure (domains, in particular), and size effects. Properties of thin films that are important for applications are then addressed: polarization reversal and properties related to the reliability of ferroelectric memories, piezoelectric nonlinearity of ferroelectric films which is relevant to microsystems’ applications, and permittivity and loss in ferroelectric films—important in all applications and essential in high frequency devices. In the context of properties we also discuss nanoscale probing of ferroelectrics. Finally, we comment on two important emerging topics: multiferroic materials and ferroelectric one-dimensional nanostructures.
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