Gas Adsorption Investigation on SiGe Monolayer: A First-Principle Calculation

单层 吸附 解吸 材料科学 分子 化学 密度泛函理论 分析化学(期刊) 朗缪尔 化学工程 纳米技术 物理化学 有机化学 工程类
作者
Xiang Sun,Yuzheng Guo,Yan Zhao,Sheng Liu,Hui Li
出处
期刊:Sensors [Multidisciplinary Digital Publishing Institute]
卷期号:20 (10): 2879-2879 被引量:13
标识
DOI:10.3390/s20102879
摘要

The gas adsorption behaviors of CO, CO2, SO2, NO2, NO, NH3, H2, H2O, and O2 on SiGe monolayer are studied using the first-principles calculation method. Three special adsorption sites and different gas molecule orientations are considered. Based on adsorption energy, band gap, charge transfer, and the electron localization function, the appropriate physical adsorptions of SO2, NO, NH3, and O2 are confirmed. These gases possess excellent adsorption properties that demonstrate the obvious sensitiveness of SiGe monolayer to these gases. Moreover, SiGe may be used as a sensing material for some of them. NO2 adsorption in different adsorption sites can be identified as chemical adsorption. Besides, the external electric field can effectively modify the adsorption strength. The range of 0 ~ - 2 V/nm can create a desorption effect when NH3 adsorbs at the Ge site. The NH3 adsorption models on Ge site are chosen to investigate the properties of the I-V curve. Our theoretical results indicate that SiGe monolayer is a promising candidate for gas sensing applications.
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