Nanoimprint lithography

纳米压印光刻 材料科学 平版印刷术 下一代光刻 X射线光刻 光电子学 纳米光刻 纳米技术 电子束光刻 抵抗 制作 图层(电子) 医学 替代医学 病理
作者
Stephen Y. Chou,Peter R. Krauss,Preston J. Renstrom
出处
期刊:Journal of vacuum science & technology [American Vacuum Society]
卷期号:14 (6): 4129-4133 被引量:1634
标识
DOI:10.1116/1.588605
摘要

Nanoimprint lithography, a high-throughput, low-cost, nonconventional lithographic method proposed and demonstrated recently, has been developed and investigated further. Nanoimprint lithography has demonstrated 25 nm feature size, 70 nm pitch, vertical and smooth sidewalls, and nearly 90° corners. Further experimental study indicates that the ultimate resolution of nanoimprint lithography could be sub-10 nm, the imprint process is repeatable, and the mold is durable. In addition, uniformity over a 15 mm by 18 mm area was demonstrated and the uniformity area can be much larger if a better designed press is used. Nanoimprint lithography over a nonflat surface has also been achieved. Finally, nanoimprint lithography has been successfully used for fabricating nanoscale photodetectors, silicon quantum-dot, quantum-wire, and ring transistors.
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