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Near‐Infrared to Visible Light Converter by Integrating Graphene Transistor into Perovskite Quantum Dot Light Emitting Diodes

光电子学 材料科学 可见光谱 光电探测器 量子点 发光二极管 石墨烯 二极管 近红外光谱 光强度 可见光通信 红外线的 钙钛矿(结构) 光学 纳米技术 物理 工程类 化学工程
作者
Wei Zhao,Sheng Bi,Chengming Jiang,Jinhui Song
出处
期刊:Advanced materials and technologies [Wiley]
卷期号:7 (8) 被引量:1
标识
DOI:10.1002/admt.202200043
摘要

Abstract A light converter system with high light sensitivity that could sense the near‐infrared (NIR) signal is one of the prerequisites for the whole Internet of Things (IoT) field. Here, a NIR to visible light converter (NVLC) which could emit visible light according to external NIR is reported. The NVLC is an integration of an inverted perovskite quantum dot light emitting diodes and a hybrid lead sulfide quantum dots/graphene transistor. The latter acts as a photodetector to convert NIR signals into electrical signals, and the former emits visible light with an intensity controlled by the electrical signals. The luminous intensity of the device, which emits green light with a peak of 520 nm, is positively correlated with the intensity of the NIR. Further, the micron‐scale NVLCs are integrated into a matrix device that could sense NIR image and display it into visible light image. The NVLC with sensing, converting NIR to visible light is believed to have various promising applications in the IoT field.
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