Atomic-scale disproportionation in amorphous silicon monoxide

一氧化硅 无定形固体 材料科学 纳米晶硅 亚氧化物 非晶硅 晶体硅 歧化 一氧化碳 应变硅 电子衍射 结晶学 化学 衍射 光电子学 光学 物理 有机化学 冶金 催化作用
作者
Akihiko Hirata,Shinji Kohara,Toshihiro Asada,Masazumi Arao,Chihiro Yogi,Hideto Imai,Yongwen Tan,Takeshi Fujita,Mingwei Chen
出处
期刊:Nature Communications [Nature Portfolio]
卷期号:7 (1) 被引量:172
标识
DOI:10.1038/ncomms11591
摘要

Abstract Solid silicon monoxide is an amorphous material which has been commercialized for many functional applications. However, the amorphous structure of silicon monoxide is a long-standing question because of the uncommon valence state of silicon in the oxide. It has been deduced that amorphous silicon monoxide undergoes an unusual disproportionation by forming silicon- and silicon-dioxide-like regions. Nevertheless, the direct experimental observation is still missing. Here we report the amorphous structure characterized by angstrom-beam electron diffraction, supplemented by synchrotron X-ray scattering and computer simulations. In addition to the theoretically predicted amorphous silicon and silicon-dioxide clusters, suboxide-type tetrahedral coordinates are detected by angstrom-beam electron diffraction at silicon/silicon-dioxide interfaces, which provides compelling experimental evidence on the atomic-scale disproportionation of amorphous silicon monoxide. Eventually we develop a heterostructure model of the disproportionated silicon monoxide which well explains the distinctive structure and properties of the amorphous material.
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