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A 10-bit 100-MS/s Reference-Free SAR ADC in 90 nm CMOS

CMOS芯片 逐次逼近ADC 消散 线性 前置放大器 模数转换器 电压基准 功率(物理) 重置(财务) 炸薯条 计算机科学 电子工程 物理 电压 电气工程 电容器 放大器 工程类 量子力学 金融经济学 经济 热力学
作者
Yan Zhu,Chi‐Hang Chan,U-Fat Chio,Sai‐Weng Sin,U Seng‐Pan,Rui P. Martins,Franco Maloberti
出处
期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:45 (6): 1111-1121 被引量:622
标识
DOI:10.1109/jssc.2010.2048498
摘要

A 1.2 V 10-bit 100 MS/s Successive Approximation (SA) ADC is presented. The scheme achieves high-speed and low-power operation thanks to the reference-free technique that avoids the static power dissipation of an on-chip reference generator. Moreover, the use of a common-mode based charge recovery switching method reduces the switching energy and improves the conversion linearity. A variable self-timed loop optimizes the reset time of the preamplifier to improve the conversion speed. Measurement results on a 90 nm CMOS prototype operated at 1.2 V supply show 3 mW total power consumption with a peak SNDR of 56.6 dB and a FOM of 77 fJ/conv-step.

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