Domain wall motion across microstructural features in polycrystalline ferroelectric films

方向错误 材料科学 晶界 凝聚态物理 三联结 微晶 压电响应力显微镜 磁畴壁(磁性) 微观结构 铁电性 三相点 电子背散射衍射 复合材料 物理 磁化 光电子学 冶金 量子力学 磁场 电介质 热力学
作者
Gavin Hennessey,Travis Peters,Pannawit Tipsawat,Martí Checa,Liam Collins,Susan Trolier‐McKinstry
出处
期刊:Acta Materialia [Elsevier]
卷期号:250: 118871-118871 被引量:6
标识
DOI:10.1016/j.actamat.2023.118871
摘要

This paper describes the effect of microstructural features such as grain boundaries and triple points on the pinning of domain wall motion in perovskite Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) films on polycrystalline SrRuO3/SrTiO3 substrates. Spatial variability in the collective domain wall dynamics was assessed using non-linearity mapping via Band Excitation Piezoresponse Force Microscopy (BE-PFM). Collocating the non-linearity maps with triple point locations (as visualized by EBSD) allowed for exploration of the effects that local microstructure (e.g., grain boundary) have on domain wall motion. It was found that the extrinsic behavior varied with both the misorientation angle and the proximity to the grain boundary. The width of influence of individual grain boundaries on the motion of domain walls was a function of the character of the grain boundary; random grain boundaries exhibit deeper minima in αd/d33,initial and larger widths of influence (up to 905 nm) compared to coincident site lattice (CSL) boundaries (up to 572 nm). Additionally, triple points containing larger numbers of random boundaries exhibited non-Rayleigh behavior to greater distances, suggesting that the triple point provides either a deep potential minimum or a region where domain wall motion is unfavorable.
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