High-Temperature Retention Stability of Multibit Ferroelectric HfZrO$_{\text{2}}$ FinFET With SiGe/Si Superlattice Channel for Enhanced Speed and Memory Window

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作者
Yi-Ju Yao,Tsai-Jung Lin,Chen-You Wei,Bo-Xu Chen,Yung-Teng Fang,Heng-Jia Chang,Yumin Fu,Guang-Li Luo,Fu-Ju Hou,Yung‐Chun Wu
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-5
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3434772
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