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作者
Xin Feng,Yu Li,Ying Li,Mingquan Liu,Lumin Zheng,Yuteng Gong,Ripeng Zhang,Feng Wu,Chuan Wu,Ying Bai
摘要
The proposal of dispersion region can complete the HC model, explain the anomalous diffusion in the low-voltage region, guide the microstructure design of high-performance HC materials, and provide new insights into the storage mechanism of SIBs.
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