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Growth of Highly‐Ordered‐Crystalline Indium‐Gallium‐Oxide Thin‐Film via Plasma‐Enhanced ALD for High Performance Top‐Gate Field‐Effect Transistors

材料科学铟光电子学镓薄膜晶体管等离子体晶体管氧化物氧化镓纳米技术电气工程图层（电子）冶金工程类物理量子力学电压

作者

Min Jae Kim,Seon Woong Bang,Jae Seok Hur,Seong Hun Yoon,Cheol Hee Choi,Sang Won Chung,Jeong Eun Oh,Yena Kim,Bang Ju Park,Jeonga Lee,Hoichang Yang,Daewon Ha,Min Hee Cho,Jae Kyeong Jeong

出处

期刊：Small methods [Wiley]
日期：2024-12-30

链接

nih.govdoi.org

标识

DOI：10.1002/smtd.202402070

摘要

This study introduces a novel method for achieving highly ordered-crystalline In

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