Efficiency improvement of antimony selenide solar cells based on S-doped SnO2 buffer layer

材料科学 缓冲器(光纤) 兴奋剂 硒化物 图层(电子) 结晶度 光电子学 氧化锡 带隙 薄膜 化学工程 纳米技术 冶金 复合材料 工程类 电信 计算机科学
作者
Kangjun Geng,Zhengdong Feng,Tingyu Zhang,Shan Huang,Honcheng Zhu,Bangzhi Shen,Boning Dong,Yan Yan,Sai Jiang,Jianhua Qiu,Huafei Guo
出处
期刊:Functional Materials Letters [World Scientific]
卷期号:17 (08)
标识
DOI:10.1142/s1793604724510512
摘要

Antimony Selenide (Sb 2 Se 3 ) exhibits potential as a solar energy material owing to its optimal bandgap, lack of toxicity, and abundance of earth abundant elements. Currently, cadmium sulfide (CdS) serves as the predominant buffer layer for Sb 2 Se 3 solar cells. However, the use of CdS hinders environmentally friendly advancement due to the toxic properties of the element cadmium. Hence, the quest for non-toxic buffer layers poses a significant challenge to the further advancement of Sb 2 Se 3 solar cells. In prior research, tin oxide (SnO 2 ) has been explored as a buffer layer. Nonetheless, the efficiency of SnO 2 /Sb 2 Se 3 solar cells was hampered by the rough surface of SnO 2 films and the poor crystallinity of Sb 2 Se 3 films. In this investigation, we enhanced device efficiency by improving the uniformity of the SnO 2 surface and enhancing the crystallinity of Sb 2 Se 3 through spin-coating sulfur (S) onto the SnO 2 film. Detailed examinations were conducted on the structure, optical, and electrical properties of the respective SnO 2 and Sb 2 Se 3 thin films. Ultimately, an efficiency of 3.38% was achieved using the spin-coated S:SnO 2 film, marking an 85% enhancement compared to the baseline device.

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