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Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics

材料科学 碳化硅 MOSFET 光电子学 晶体管 功率MOSFET 电容 压力(语言学) 宽禁带半导体 兴奋剂 场效应晶体管 氧化物 可靠性(半导体) 栅氧化层 工程物理 电子工程 电压 电气工程 功率(物理) 工程类 物理 复合材料 语言学 哲学 电极 量子力学 冶金
作者
Wadia Jouha,Mohamed Masmoudi,Ahmed El Oualkadi,Eric Joubert,Pascal Dherbécourt
出处
期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:20 (3): 506-511 被引量:17
标识
DOI:10.1109/tdmr.2020.2999029
摘要

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