Transport Properties of Monolayer MoS2 Grown by Chemical Vapor Deposition

单层 化学气相沉积 材料科学 散射 兴奋剂 光电子学 微晶 纳米技术 光学 物理 冶金
作者
Hennrik Schmidt,Shunfeng Wang,Leiqiang Chu,Minglin Toh,Rajeev Kumar,Weijie Zhao,A. H. Castro Neto,Jens Martin,Shaffique Adam,Barbaros Özyilmaz,Goki Eda
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:14 (4): 1909-1913 被引量:448
标识
DOI:10.1021/nl4046922
摘要

Recent success in the growth of monolayer MoS$_2$ via chemical vapor deposition (CVD) has opened up prospects for the implementation of these materials into thin film electronic and optoelectronic devices. Here, we investigate the electronic transport properties of individual crystallites of high quality CVD-grown monolayer MoS$_2$. The devices show low temperature mobilities up to 500 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$ and a clear signature of metallic conduction at high doping densities. These characteristics are comparable to the electronic properties of the best mechanically exfoliated monolayers in literature, verifying the high electronic quality of the CVD-grown materials. We analyze the different scattering mechanisms and show, that the short-range scattering plays a dominant role in the highly conducting regime at low temperatures. Additionally, the influence of phonons as a limiting factor of these devices is discussed.
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