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作者
Frank Würthner,R. Schmidt
出处
期刊:ChemPhysChem
[Wiley]
日期:2006-04-04
卷期号:7 (4): 793-797
被引量:127
标识
DOI:10.1002/cphc.200600078
摘要
High charge-carrier mobility in bis- silylethynylated acenes: This article highlights new organic semiconductor materials (see figure) with pronounced p- and n-type charge-carrier mobilities. Particular emphasis is given to the evolution of the electronic properties with increasing number of annulated rings in the ascending bis-silylethynylated acene series as well as the rational supramolecular crystal engineering.
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