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Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum-well-heterostructure flip-chip light-emitting diodes

光电子学 发光二极管 异质结 量子阱 材料科学 二极管 宽禁带半导体 光学 物理 激光器
作者
Yinchu Shen,Jonathan J. Wierer,Michael R. Krames,M. J. Ludowise,M. Misra,Farid Ahmed,A. Y. Kim,Gerd Mueller,J Bhat,S. A. Stockman,P. Martin
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:82 (14): 2221-2223 被引量:135
标识
DOI:10.1063/1.1566098
摘要

Optical cavity effects have a significant influence on the extraction efficiency of InGaN/GaN quantum-well-heterostructure flip-chip light-emitting diodes (FCLEDs). Light emitted from the quantum well (QW) self-interferes due to reflection from a closely placed reflective metallic mirror. The interference patterns couple into the escape cone for light extraction from the FCLED. This effect causes significant changes in the extraction efficiency as the distance between the QW and the metallic mirror varies. In addition, the radiative lifetime of the QW also changes as a function of the distance between the QW and the mirror surface. Experimental results from packaged FCLEDs, supported by optical modeling, show that a QW placed at an optimum distance from the mirror provides a ∼2.3× increase in total light output as compared to a QW placed at a neighboring position corresponding to a minimum in overall light extraction.
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