Evolution of Threading Edge Dislocations at Earlier Stages of PVT Growth for 4H-SiC Single Crystals

材料科学 位错 结晶学 线程(蛋白质序列) 部分位错 堆积 GSM演进的增强数据速率 凝聚态物理 叠加断层 单晶 平面(几何) 复合材料 几何学 核磁共振 蛋白质结构 计算机科学 电信 化学 物理 数学
作者
Komomo Tani,Tatsuo Fujimoto,Kazuhito Kamei,Kazuhiko Kusunoki,Kazuaki Seki,Takayuki Yano
出处
期刊:Materials Science Forum 卷期号:858: 73-76 被引量:10
标识
DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.858.73
摘要

Dislocation structures at the seed/grown-crystal interface in PVT-grown 4H-SiC crystals are investigated. The dislocation density is found to show a sharp increase at the interface and its main contribution is probably ascribable to TEDs which stem from BPDs generating at the interface through the structural transformation. Intense TEM observations reveal an intriguing in-plane distribution structure of the interface BPDs; the BPDs form a two-dimensional dislocation network comprising of {-1100} partial dislocations associated with expanded areas of stacking faults at the nodes of the network.
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