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Symmetry-driven valleytronics in the single-layer tin chalcogenides SnS and SnSe

Valleytronics公司 之字形的 激子 凝聚态物理 材料科学 硫系化合物 介观物理学 正交晶系 对称(几何) 极化(电化学) 光电子学 物理 光学 化学 铁磁性 自旋电子学 几何学 数学 冶金 物理化学 衍射
作者
Nguyễn Thành Tiên,Phạm Thị Bích Thảo,Nguyen Thi Han,Vo Khuong Dien
出处
期刊:Physical review 卷期号:109 (15) 被引量:1
标识
DOI:10.1103/physrevb.109.155416
摘要

The concept of valleytronics has recently gained considerable research attention due to its intriguing physical phenomena and practical applications in optoelectronics and quantum information. In this study, by employing the Green function-Bethe-Salpeter equation (GW-BSE) calculations and symmetry analysis, we demonstrate that single-layer orthorhombic SnS and SnSe possess remarkable carrier mobility and exceptional excitonic effects. These materials display spontaneous linearly polarized optical selectivity, a behavior that differs from the valley-selective circular dichroism observed in the hexagonal lattices. Specifically, when the two-dimensional tin chalcogenide is subjected to a zigzag polarization of light, only the A exciton becomes optically active, while the B exciton remains dark. The armchair-polarized light triggers the opposite behavior. This selective optical excitation arises from the symmetry of the bands under mirror symmetry. Additionally, the study reveals a strong coupling between valley physics and ferroelectricity in layered tin chalcogenides, enabling the manipulation of exciton polarization. Layered tin chalcogenides thus emerge as promising candidates for valleytronic materials.
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