Ultrahigh breakdown current density of van der Waals one dimensional PdBr2

范德瓦尔斯力 纳米线 凝聚态物理 材料科学 电流密度 光电子学 场效应晶体管 晶体管 纳米技术 化学 电压 物理 有机化学 量子力学 分子
作者
Bikash Das,Kapildeb Dolui,Rahul Paramanik,Tanima Kundu,Sujan Maity,Anudeepa Ghosh,Mainak Palit,S. Datta
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:122 (26) 被引量:2
标识
DOI:10.1063/5.0150243
摘要

One-dimensional (1D) van der Waals (vdW) materials offer nearly defect-free strands as channel material in the field-effect transistor (FET) devices and probably, a better interconnect than conventional copper with higher current density and resistance to electro-migration with sustainable down-scaling. We report a new halide based "truly" 1D few-chain atomic thread, PdBr$_2$, isolable from its bulk which crystallizes in a monoclinic space group C2/c. Liquid phase exfoliated nanowires with mean length (20$\pm$1)$\mu$m transferred onto SiO$_2$/Si wafer with a maximum aspect ratio of 5000 confirms the lower cleavage energy perpendicular to chain direction. Moreover, an isolated nanowire can also sustain current density of 200 MA/cm$^\mathrm{2}$ which is atleast one-order higher than typical copper interconnects. However, local transport measurement via conducting atomic force microscopy (CAFM) tip along the cross direction of the single chain records a much lower current density due to the anisotropic electronic band structure. While 1D nature of the nanoobject can be linked with non-trivial collective quantum behavior, vdW nature could be beneficial for the new pathways in interconnect fabrication strategy with better control of placement in an integrated circuit (IC).
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