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作者
Jung‐Tae Kim,Dow-wook Lee,Jangho Bae,Taeyoon Lee,Hyeongtag Jeon
出处
期刊：Nanotechnology
[IOP Publishing]
日期：2024-02-02
卷期号：35 (20): 205705-205705
被引量：1
标识
DOI：10.1088/1361-6528/ad2573
摘要
Two-dimensional (2D) materials are attracting attention because of their outstanding physical, chemical, and electrical properties for applications of various future devices such as back-end-of-line field effect transistor (BEOL FET). Among many 2D materials, tin disulfide (SnS
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