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Coexistence of Ferroelectricity and Ferromagnetism in Atomically Thin Two-Dimensional Cr2S3/WS2 Vertical Heterostructures

超晶格 铁磁性 异质结 凝聚态物理 居里温度 铁电性 材料科学 薄膜 蓝宝石 物理 纳米技术 光学 光电子学 电介质 激光器
作者
Luying Song,Ying Zhao,Ruofan Du,Hui Li,Xiaohui Li,Feng Wang,Junbo Yang,Xia Wen,Ling Huang,Yanan Peng,Hang Sun,Yulin Jiang,Jun He,Jianping Shi
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:24 (7): 2408-2414 被引量:5
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.3c05105
摘要

Two-dimensional (2D) heterostructures with ferromagnetism and ferroelectricity provide a promising avenue to miniaturize the device size, increase computational power, and reduce energy consumption. However, the direct synthesis of such eye-catching heterostructures has yet to be realized up to now. Here, we design a two-step chemical vapor deposition strategy to growth of Cr2S3/WS2 vertical heterostructures with atomically sharp and clean interfaces on sapphire. The interlayer charge transfer and periodic moiré superlattice result in the emergence of room-temperature ferroelectricity in atomically thin Cr2S3/WS2 vertical heterostructures. In parallel, long-range ferromagnetic order is discovered in 2D Cr2S3 via the magneto-optical Kerr effect technique with the Curie temperature approaching 170 K. The charge distribution variation induced by the moiré superlattice changes the ferromagnetic coupling strength and enhances the Curie temperature. The coexistence of ferroelectricity and ferromagnetism in 2D Cr2S3/WS2 vertical heterostructures provides a cornerstone for the further design of logic-in-memory devices to build new computing architectures.

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