High-performance flexible resistive random-access memory based on SnS2 quantum dots with a charge trapping/de-trapping effect

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作者
Hua An,Yiyang Li,Yi Ren,Yili Wan,Weigao Wang,Zhenhua Sun,Junwen Zhong,Zhengchun Peng
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:16 (25): 12142-12148
标识
DOI:10.1039/d4nr00745j
摘要

High-quality SnS 2 quantum dots were successfully prepared and applied to a flexible memristor with excellent resistive transition performance.

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