Impact of Circuit Mismatches and Parasitic Parameters on Paralleling 650-V E-Mode GaN HEMTs

模式(计算机接口) 光电子学 氮化镓 材料科学 电子工程 电气工程 计算机科学 工程类 复合材料 图层(电子) 操作系统
作者
Chen Song,Shan Yin,Jinshu Lin,Hui Li
标识
DOI:10.1109/ipemc-ecceasia60879.2024.10567423
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