Electrolytic Shaping of Germanium and Silicon

蚀刻(微加工) 半导体 材料科学 工程物理 光电子学 电解质 纳米技术 工程类 化学 物理化学 电极 图层(电子)
作者
A. Uhlir
出处
期刊:Bell System Technical Journal [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:35 (2): 333-347 被引量:990
标识
DOI:10.1002/j.1538-7305.1956.tb02385.x
摘要

Properties of electrolyte-semiconductor barriers are described, with emphasis on germanium. The use of these barriers in localizing electrolytic etching is discussed. Other localization techniques are mentioned. Electrolytes for etching germanium and silicon are given.
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