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作者
P. G. Le Comber,W. E. Spear,A. Ghaith
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Electrical Engineers]
日期：1979-01-01
卷期号：15 (6): 179-179
被引量：417
摘要
The characteristics of an insulated-gate field-effect transistor made from amorphous silicon (a-Si) deposited in a glow discharge are discussed. It is suggested that the a-Si device could be applied with advantage in an addressable matrix of a liquid-crystal display panel.
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