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3D charge and 2D phonon transports leading to high out-of-plane ZT in n-type SnSe crystals

材料科学 凝聚态物理 声子 热导率 热电效应 热电冷却 硒化物 光电子学 热电材料 物理 工程物理 载流子 电子 兴奋剂 复合材料 热力学 冶金 量子力学
作者
Cheng Chang,Minghui Wu,Dongsheng He,Yanling Pei,Chaofeng Wu,Xuefeng Wu,Hulei Yu,Fangyuan Zhu,Kedong Wang,Yue Chen,Li Huang,Jing‐Feng Li,Jiaqing He,Li‐Dong Zhao
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science]
卷期号:360 (6390): 778-783 被引量:1114
标识
DOI:10.1126/science.aaq1479
摘要

SnSe doped a different way Heat can be converted into electricity by thermoelectric materials. Such materials are promising for use in solid-state cooling devices. A challenge for developing efficient thermoelectric materials is to ensure high electrical but low thermal conductivity. Chang et al. found that bromine doping of tin selenide (SnSe) does just this by maintaining low thermal conductivity in the out-of-plane direction of this layered material. The result is a promising n-type thermoelectric material with electrons as the charge carriers—an important step for developing thermoelectric devices from SnSe. Science , this issue p. 778
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