Study of Ge2Sb2Te5 Film for Nonvolatile Memory Medium

材料科学 非易失性存储器 光电子学 纳米技术 工程物理 工程类
作者
Baowei Qiao,Yunfeng Lai,Jie Feng,Yun Ling,Yinyin Lin,Ting-Ao Tang,Bingchu Cai,Bomy Chen
出处
期刊:Journal of Materials Science & Technology [Elsevier]
卷期号:21 (01): 95-99 被引量:6
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