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作者
Guobin Wang,Da Sheng,Hui Li,Zesheng Zhang,Lingling Guo,Zhongnan Guo,Wenxia Yuan,Wenjun Wang,Xiaolong Chen
出处
期刊：CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2022-12-22
卷期号：25 (4): 560-566
被引量：11
摘要
Al addition modifies the interfacial energy of SiC/solution during the growth of SiC single crystals via TSSG, and is beneficial to smoothing the growth surface, improving the crystalline quality, stabilizing the 4H polytype, and increasing the growth rate.
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