Solution-prepared AgBi2I7 Thin Films and Their Photodetecting Properties

溶液法制备 AgBi 2 I 7 薄膜及其光电探测性能研究 胡 盈 1 , 李自清 2 , 方晓生 1,2 (复旦大学 1. 材料科学系, 聚合物分子工程国家重点实验室; 2. 光电研究院, 上海市智能光电与感知前沿科学研 究基地, 上海 200433) 摘 要: AgBi 2 I 7 薄膜具有良好的光电特性和环境稳定性, 是构筑异质结紫外光电探测器的有力候选材料之一。本研 究采用溶液法制备 AgBi 2 I 7 薄膜, 通过优化前驱体溶液的浓度和溶剂类型(正丁胺和二甲基亚砜)等工艺参数, 研究 了其光电探测性能。采用最优方案在宽带隙的 GaN 上制备 AgBi 2 I 7 薄膜, 构建 AgBi 2 I 7 /GaN 异质结。该异质结对 UVA 射线具有良好的选择性探测(探测半峰宽约 30 nm)。在 3 V 偏压和 350 nm 紫外光照射下, 器件开关比超过 5 个数 量级, 达到 27.51 A/W 的高响应度和 1.53×10 14 Jones 的高探测率。研究表明溶液法制备的 AgBi 2 I 7 薄膜有望应用于 构建高性能的异质结紫外光电探测器