Virtual diffraction analysis of Ni [0 1 0] symmetric tilt grain boundaries

方向错误 晶界 电子背散射衍射 材料科学 衍射 电子衍射 倾斜(摄像机) 结晶学 选区衍射 凝聚态物理 几何学 光学 物理 微观结构 数学 化学 复合材料
作者
Shawn P. Coleman,Douglas E. Spearot,Laurent Capolungo
出处
期刊:Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering [IOP Publishing]
卷期号:21 (5): 055020-055020 被引量:175
标识
DOI:10.1088/0965-0393/21/5/055020
摘要

Electron and x-ray diffraction are well-established experimental methods used to explore the atomic scale structure of materials. In this work, a computational method is implemented to produce virtual electron and x-ray diffraction patterns directly from atomistic simulations without a priori knowledge of the unit cell. This method is applied to study the structure of [0 1 0] symmetric tilt low-angle and large-angle grain boundaries in Ni. Virtual electron diffraction patterns and x-ray diffraction 2θ line profiles show that this method can distinguish between low-angle grain boundaries with different misorientations and between low-angle boundaries with the same misorientation but different dislocation configurations. For large-angle Σ5 (2 1 0), Σ29 (5 2 0) and Σ5 (3 1 0) coincident site lattice [0 1 0] symmetric tilt grain boundaries, virtual diffraction methods can identify the misorientation of the grain boundary and show subtle differences between grain boundaries in the x-ray 2θ line profiles. A thorough analysis of the effects of simulation size on the relrod structure in the electron diffraction patterns is presented.

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