材料科学
光电子学
非易失性存储器
异质结
电极
电铸
纳米技术
化学
物理化学
图层(电子)
作者
Saurabh Srivastava,Joseph P. Thomas,K. T. Leung
出处
期刊:Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2019-01-01
卷期号:11 (39): 18159-18168
被引量:20
摘要
A TiOx/TaOx heterojunction sandwiched between a pair of Pt electrodes provides an electroforming-free non-volatile memory device with a remarkably low programming voltage (+0.5 V), high endurance (104 cycles) and data retention (105 s).
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