Reconfigurable optical memory based on MoS2/QDs mixed-dimensional van der Waals heterostructure

异质结 光电子学 材料科学 光电流 光子学 计算机数据存储 三维光学数据存储 量子点 光电效应 光存储 计算机科学 计算机硬件
作者
Yilin Sun,Yingtao Ding,Dan Xie,Mengxing Sun,Jianlong Xu,Pengfei Yang,Yanfeng Zhang,Tian‐Ling Ren
出处
期刊:2D materials [IOP Publishing]
卷期号:8 (2): 025021-025021 被引量:15
标识
DOI:10.1088/2053-1583/abd90a
摘要

Abstract Optical memory unit with the ability to detect and store optical signals is increasingly becoming a crucial part of advanced data communication and image sensing technology. Despite great efforts devoted to develop high-performance optical memory devices based on two-dimensional (2D) material, the photoelectric conversion is still limited to defect-dominant photo-generated carrier trapping/de-trapping process at the interface of 2D materials. Here, a reconfigurable optical memory implanted with photonic programming/electric erasing operation is demonstrated based on MoS 2 /quantum dots (QDs) mixed-dimensional heterostructure. Unique photoelectric coupling effect between MoS 2 and QDs leads to a continuous n-doping on MoS 2 channel after light exposure removed, resulting in the generation of persistent photocurrent. Excellent optical memory characteristics such as high programming/erasing ratio, long retention time and stable operation cycles have been achieved and demonstrated to be gate-tunable. Besides, multi-level optical data storage with ten different states is also realized by applying a series of programmable optical signals. Owing to the unique dynamic response of mix-dimensional van der Waals heterostructure to optical and electric signals, our proposed optical memory transistor may pave up a new path to explore photoelectric conversion in low-dimensional system and develop high-performance optoelectronics for a broad range of applications.
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