Ultrahigh conversion efficiency of betavoltaic cell using diamond pn junction

能量转换效率 光电子学 钻石 材料科学 二极管 量子效率 p-n结 能量转换 半导体 辐照 光学 物理 复合材料 热力学 核物理学
作者
Takehiro Shimaoka,Hamao Umezawa,Kimiyoshi Ichikawa,Julien Pernot,Satoshi Koizumi
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:117 (10) 被引量:20
标识
DOI:10.1063/5.0020135
摘要

A betavoltaic cell, which directly converts beta particles into energy, is composed of a junction diode and a beta-emitting source. Because the cells can deliver electricity over a long operation life ranging from several years to a decade, they are promising devices for applications in remote locations such as outer space, deserts, and underground areas. Herein, we report efficient energy conversion using a diamond pn junction. We characterized the betavoltaic performance under electron-beam irradiation using scanning electron microscopy and observed an open-circuit voltage of 4.26 V, a fill factor of 0.85, and a semiconductor conversion efficiency of 28%. These are the best values reported thus far for betavoltaic cells. The efficiency is close to the theoretical Shockley–Queisser efficiency limit for betavoltaic cells.
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