5.59 W/mm at 30 GHz from E-mode AlN/GaN HEMT using selective etch of in-situ SiN passivation layer

高电子迁移率晶体管 钝化 材料科学 光电子学 图层(电子) 原位 宽禁带半导体 蚀刻(微加工) 氮化镓 电气工程 晶体管 电压 化学 纳米技术 工程类 有机化学
作者
Pengfei Wang,Minhan Mi,Sirui An,Yuwei Zhou,Zhihong Chen,Qing Zhu,Xiang Du,Yilin Chen,Meng Zhang,Bin Hou,Ruqing Liu,Xiaohua Ma,Yue Hao
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/led.2024.3437765
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